「１．フォトリソ工程の基本」、「２．フォトリソ工程用装置」の第１回め（３時間／６時間）

レジスト塗布装置およびベーキング装置：

スピンコート型塗布装置塗布の原理、装置の機構について述 。 回転数とレジスト膜厚の関係について述 べる。 この方法における問題点と改善策につい て述べる。 起こりうる不良について述べる。 装置に要求される特性について述べる。 装置を提供しているメーカについて（不 ロールコート型塗布装置公平にならないよう）情報を提供す ベーキングホットプレースピンコート型との比較を述べ、用 トついて言及する。構造、要求される性能、温度制御装置について述べる。

第２日め

「１．フォトリソ工程の基本」、「２．フォトリソ工程用装置」の第２回め（３時間／６時間）

RIEがドライエッチングの基本形であることを述べる。ビデオ RIEは化学反応に加え、イオン衝撃がエッチングを進行させることを説明する。 エッチングガスとしてCF₄をとりあげ、装置の構成、機構、操作手順を説明する。 （この段階ではまだ原理は説明しない。） プラズマとはなにか、プラズマを発生させるにはどうしたらよいかについて説明する。 CF₄をプラズマ化すると何ができるかを説明する。 そのうち、ラジカル、イオン、電子の振る舞いについて説明する。 シリコン酸化膜、シリコン窒素化膜についてエッチング機構を説明する。（この辺でRIEについてのイメージが出てくるものと思われる。）イオン衝撃を起こす電界の発生原因について説明する。 シース電位、セルフバイアス電圧に加速されること、それらは電子とイオンの質量が数桁も異なること、およびブロッキングコンデンサによるチャージアップに起因することを説明する。（この部分は、講師が相当正確な物理的イメージを確立していないと、受講者を納得させる説明は困難である。 ）

ＲＩＥのエッチング機構：発問： ウエットエッチングのエッチング機構は？

RIEのエッチング機構には、化学反応と、イオン衝撃と両方が関与していることを再確認する。冒頭、天下り的に与えた、化学反応が強く効くとすれば、ウエット エッチングの機構に近づきエッチング形 状は等方的となりアンダーカットを生ず ること、 イオン衝撃が強く効くとすればエッチン グ形状は異方的となること、について説明する。アンダーカットが問題になりうることを説明する。

RIEによる選択エッチンエッチングにおいて、下地との選択比 グエッチングレートの比）が 重要であることを説明する。この時、自分の技術的体験から、下地までオーバーエッチングしてしまい、ウエハや、それまでの工程の材料や労力が水泡に帰したことをはなし、重要性を生を訴え。 酸化膜選択のエッチングCF₄でシリコンウエハ上の酸化膜をエッチングする場合を例にとって、どのような場合にこの方法をもちいるか、また酸化膜を選択的にエッチングする方法および シリコンのエッチング原理について説明する。CF₄でシリコンウエハをエッチングする場合を例にとって、どのような場合にこの方法をもちいるか、その方法および原理 RIEにおいて化学反応がについて説明する。また問題点を述べ 支配的となる場合の対処。 方法発問：RIEにおいて化学反応が支配的となる場合何がまずいのか？側壁保護について説明する。土木工事でトンネルを掘る場合の「シールド工法」と対比させて説明すると効果的。冷却について説明する。 金属のエッチング化学反応は温度に大きく依存することを説明する。石鹸やシャンプーはお湯の方が落ちやすいことを例に引くと効果的 。

化合物半導体のエッ チグ

ンAlを例にとって反応ガスの選び方について説明する。またCl₂でエッチングした場合の反応機構について説明する。化合物半導体の加工にドライエッチングがどのように使われているかを紹介する。ここでは、筆者が過去発表した論文を例にとって、反応ガスの探索方法、ドライエッチングの使用例を説明している。